据报道,铠侠控股近日召开经营方针说明会,称计划在五年内将产能翻一番,预计2026年生产出下一代NAND闪存。
铠侠表示,计划通过扩大其四日市工厂和北上工厂的生产线,到2029财年将产能较2024财年提高一倍,以满足AI数据中心对NAND闪存日益增长的需求。
同日,该公司公布了其中长期经营计划,北上市第二生产基地大楼将于9月落成,并将引入新设备以提升产能,计划在2026年3月实现其销售额超过现有产品。
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