SK海力士加速推进六层EUV工艺，力争高端存储市场领先—im电竞app官网

SK海力士近期推进其1c（第六代10奈米级）DRAM制程技术，成功实现六层极紫外光（EUV）光刻技术的大规模整合，成为全球领先厂商之一。该技术利用波长约13.5奈米的EUV，显著优化了制造流程，降低了多重图案化的复杂度，提升了晶片的良率——目前良率已突破80%-90%，带来读写性能约11%的提升以及9%的功耗降低。

SK海力士的1c DRAM计划主要服务高性能运算与人工智能市场，现有HBM3E及即将量产的HBM4采用1b工艺，而1c工艺将率先应用于后续的HBM4E产品，并推动更高容量DDR5记忆体模组的开发。未来公司将在1d及0a制程中持续扩大EUV层数使用，并为High-NA EUV技术铺路，进一步推动DRAM制程进入2奈米以下节点。

随着全球AI及高性能计算对高速大容量存储需求激增，SK海力士凭借六层EUV技术优势，预期在高端DDR5和HBM市场取得更大竞争力，挑战三星等竞争对手，并加速TB级HBM4及万兆速率DDR6的商用推广，全面重塑全球记忆体市场格局。