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高精度霍尔电流传感器具有1.1kV隔离度—im电竞app官网

发表时间:2024-08-18

半导体芯科技编译

来源:Electonics Weekly

德州仪器(TI)在其最新的隔离电流传感器中采用了霍尔效应,并声称随温度变化的漂移为50ppm/°C,整个使用寿命内的漂移为±0.5%。

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针对电动汽车充电器,TMCS1123可提供高达75Arms的版本,其隔离额定值为1.1kVdc,可承受5kVrms。

TI表示:“器件寿命工作电压的评估遵循VDE 0884-11加强绝缘标准,要求随时间变化的电介质击穿预测故障率低于1ppm,并且绝缘寿命至少为30年。”此外,考虑到安全裕度,设计目标是在900Vrms下,最小使用寿命为39年。

该公司表示,其最大灵敏度误差为±0.75%,“在整个使用寿命期间具有高精度和出色的稳定性,无需重新校准设备。”

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对于控制环路,该类部件的带宽为250kHz,传播延迟为600ns。

电流路径由引线框架制成,25°C时的标称电阻为0.67mΩ。

有额定值为25mV/A、50mV/A、75mV/A、100mV/A或150mV/A的五个版本,每个版本都有输出中心电压为2.5V、1.65V或0.33V的三个版本——中心参考电压在引脚上引出,用于接下来的信号处理。

在5V电压下运行IC可提供最高范围——高达±96A。某些电源/中心电压组合会导致范围不对称——请参阅数据表中的表5-1。

它们全部采用相同的10.3 x 10.3 x 2.65mm SIOC封装,仅在一侧修改了两条长电流支路。

TI表示:“由于霍尔传感器芯片上存在静电屏蔽,因此只能测量输入电流产生的磁场,从而限制输入电压开关传递到电路”。关于磁场:“环境场抑制仅受霍尔元件匹配和封装引线框架耦合的限制,可将杂散场的误差减少超过40dB”。

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