来源:三星半导体
作为全球化的半导体企业,正如在2022年度闪存峰会和2022年度三星内存技术日上所承诺的,三星7日宣布,已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb(太字节)三比特单元(TLC)第8代V-NAND。
1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度,可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。
三星闪存产品与技术执行副总裁SungHoi Hu表示:市场对更高密度、更大容量存储的需求,推动了V-NAND层数的增加,三星采用3D缩放(3D scaling)技术,减少表面积并降低高度,同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。我们的第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求,更好地提供差异化产品和解决方案,有望成为未来存储创新的基础。
通过这项技术,三星显著的提升每片晶圆的存储密度,使三星的存储密度达到了新的高度。基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口*的三星第8代V-NAND,其输入和输出(I/O)速度高达2.4 Gbps(千兆比特每秒),相比上一代提升了1.2倍,这可以满足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。
三星第8代V-NAND有望成为存储配置的基石,帮助扩展下一代企业服务器的存储容量,同时其应用范围还将拓展至可靠性尤为重要的车载市场。
线上产品推介会
最新活动来啦!诚邀各企业参与首届线上产品推介会!如果您的企业是泛半导体相关领域,如果您的企业有新技术、新工艺、新材料、新设备等,欢迎您点击链接填写意向表:http://act.lwc.cn/api/sbstc/uploadFile,参与“线上产品推介会”。共同为国际、国内泛半导体产业的发展推动助力!
【扫一扫,关注我们】
版权所有 © 2021 语音芯片,蓝牙芯片,AIOT芯片,ble数传芯片,蓝牙芯片方案定制—IM电竞体育app官方网站 Al Rights Reseved 备案号:粤ICP备2022101639号-1 网站地图 管理登陆