来源：华引芯近日， BOE（京东方）推出全球领先的110吋裸眼3D终端，并于SID 2024国际显示周惊艳亮相。产品采用了华引芯高色域NCSP系列Mini-LED背光源及算法加持，色域高达104%NTSC，对比度达1,000,000:1，同时具备16K超高清分辨率，超1米出屏深度，可为用户带来超强视

据toms hardware消息，日本芯片制造商Rapidus Corporation正在日本北部建设一家芯片制造厂，该公司表示将使用机器人和人工智能创建一个完全自动化的生产线，用于生产用于高级AI应用的2纳米芯片。据《日经亚洲》报道，其2纳米芯片的原型设计将于明年开始，但大规模生产至少要到2027

长电科技8月11日发布晚间公告称，公司于2024年3月4日召开的第八届董事会第五次临时会议，审议通过了《关于公司全资子公司长电科技管理有限公司收购晟碟半导体（上海）有限公司80%股权的议案》，同意长电科技管理有限公司以现金方式收购 SANDISKCHINA LIMITED持有的晟碟半导体（上海）有限

微流控芯片系统（Microfluidic Chip System）如图1所示，又称为芯片实验室（Labona Chip），是一种通过在微米尺度上操纵流体流动，继而进行各种生化分析的实验平台，该平台一般只有几平方厘米大小，可实现规模的集成化，达到多种分析同时进行的效果。微流控芯片技术一般是指利用微尺度

自动缓解热问题成为异构设计中的首要任务。3D-IC 和异构芯片将需要对物理布局工具进行重大改变，其中芯片的放置和信号的布线会对整体系统性能和可靠性产生重大影响。EDA 供应商非常清楚这些问题，并正在致力于解决方案。3D-IC 面临的首要挑战是散热。逻辑通常会产生最多的热量，而将逻辑芯片堆叠在其他逻辑

随着硅基商用晶体管尺寸的不断缩减，物理极限、功耗和成本等挑战日益凸显，为了满足集成电路对集成度和计算能力的需求，亟需引入新原理、新结构和新材料。半导体型阵列碳纳米管（A-CNT）因其高载流子迁移率、超薄结构和对称能带等优越特性，成为研究的热点。基于A-CNT制备的互补金属氧化物半导体场效应晶体管（C

人工智能的飞速发展迫切需要高速非易失存储技术。当前主流非易失闪存的编程速度普遍在百微秒级，无法支撑应用需求。记者从复旦大学获悉，该校周鹏-刘春森团队在国际上首次实现了最大规模1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证，并证明了其超快特性可延伸至亚10纳米。北京时间8月12日下午，相关成果以“二维超快闪存的规模集

3D NANDFlash存储器的超快蚀刻技术是当前半导体制造领域的重要突破之一。这项技术主要通过在极低温度下进行高纵横比（High-Aspect-Ratio, HAR）蚀刻，以实现对存储通道孔洞和沟槽的高效、精确加工。 根据东京电子和Lam Research等公司的最新研发进展，这种新型蚀刻技术可以

据“东莞发布”公众号，作为2024年“投资年”现场推进会暨重大项目动工仪式举办所在地，松山湖佰维存储晶圆级封测项目正式动工开建，预计将于2025年全面投产。松山湖佰维存储晶圆级封测项目主体为广东芯成汉奇半导体技术有限公司，于2023年9月成立，系深圳佰维存储科技股份公司子公司，项目用地面积约102亩

台积电董事会近日召开会议，核准 2024 年第二季财报的同时也通过了两项预算案。台积电董事会根据基于市场需求预测及技术开发蓝图所制定的长期产能规划，核准 296.1547 亿美元（IT之家备注：当前约 2119.23 亿元人民币）资本预算。这笔资金将用于建置及升级先进制程产能，建置及升级先进封装、成

据“东莞发布”公众号消息，近日，松山湖佰维存储晶圆级封测项目正式动工开建，预计将于2025年全面投产。据悉，松山湖佰维存储晶圆级封测项目由深圳佰维存储科技股份公司子公司广东芯成汉奇半导体技术有限公司投资建设，项目用地已于今年5月30日成功摘牌。用地面积约102亩，总投资30.9亿元，专注于晶圆中段制

据芯德科技官微消息，近日，芯德科技扬州晶圆级芯粒先进封装基地项目主体结构顺利封顶。芯德科技表示，作为一座专注于2.5D/3D等尖端先进封装技术的现代化智能制造工厂，扬州基地的即将投入使用，无疑将为公司注入强大的市场活力，显著增强在先进封装领域的竞争优势。据了解，江苏芯德半导体科技股份有限公司成立于2